2N7002W参数:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):115mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 25V功率 - 最大值:200mW安装类型:表面贴装封装:SC-70,SOT-323供应商器件封装:SC-70