2N7000参数:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装:2,000系列:-包装:散装FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):200mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):5欧姆@500mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):50pF@25V功率-最大值:400mW安装类型:通孔封装:TO-226-3、TO-92-3标准主体供应商器件封装:TO-92-3