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2SA1162-G

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2SA1162-GR 优势库存
TOSHBA
SOT-23
2023+
12350
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2SA1162-G 优势库存
TOSHIBA
SOT-23
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2SA1162-GR,LXHF
Toshiba Semico..
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2SA1162-GR,LF
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2SA1162-GR
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2SA1162-G
TOSHIBA
SOT-23
2023+
151278
全新进口原装现货,保证质量
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TOSHIBA
SOT-23
2023+
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全新进口原装现货,特价热卖
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2SA1162-GR(T5LFT)
Toshiba代理分销
TO-236-3,SC-..
2023+
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全新进口原装现货品质保证
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2SA1162-GR
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2SA1162-GR/SG
TOSHIBA
SOT-23
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54000
品质保证,价格优惠
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2SA1162-G
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3000
品质保证,价格优惠
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2SA1162-GR(SG)
TOS
SOT-23
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2SA1162-GR/Y
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2SA1162-GR/(SG)
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2SA1162-GR
原装正品
原厂封装
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66300
一级代理/全新原装现货/长..
2SA1162-GRLF(T
Toshiba
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全新原装，香港现货
2SA1162-GR(TE85LF)
Toshiba
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全新原装，香港现货
2SA1162-GR
Toshiba
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全新原装，发货1周
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进口原装 库房现货
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2SA1162-GR/SG
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相关型号： 2SA1160-B(TE6,F,M) 2SA1145-O(TPE6,F) 2SA1145-O(TE6,F,M) 2SA11270RA 2SA11240R 2SA11230RA

2SA1162GT1
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2SA1162GT1参数：TRANSISTOR PNP 50V 150MA SC-59

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路
产品变化通告： Discontinuation30/Jun/2006
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：PNP
电流-集电极(Ic)（最大值）：150mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：300mV@10mA，100mA
电流-集电极截止（最大值）：100nA
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：200@2mA，6V
功率-最大值：200mW
频率-跃迁：80MHz
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SC-59

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