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2SC5631JR

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2SC5631JRTL-E 优势库存
RENESAS
SOT89
2023+
15856
原装现货，价格优势
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2SC5631JRTRE-E
RENESAS
SOT89
2023+
2278
全新进口原装现货,保证质量
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2SC5631JRTR-E
RENESAS
SOT-89
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全新进口原装现货,保证质量
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2SC5631JRTR
RENESAS
SOT89
2023+
5557
全新进口原装现货,特价热卖
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2SC5631JR
HITACHI
SOT-89
2023+
5768
全新进口原装现货,保证质量
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2SC5631JRTR
RENESAS
SOT89
2023+
950
品质保证,价格优惠
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2SC5631JRTL
RENESAS
SOT89
2023+
12500
品质保证,价格优惠
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2SC5631JRTLSOT89-JR
RENESAS
2023+
1503
全新进口原装现货,保证质量
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2SC5631JRTR/JR
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2023+
1317
深圳现货，专业配套
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2SC5631JRTR
RENESAS
SOT-89
2023+
3536
全新原装现货
相关型号： 2SC559200L 2SC5585TL 2SC5569-TD-E 2SC5566-TD-E 2SC555600L 2SC5551AF-TD-E

2SC563200L
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2SC563200L参数：TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P

类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
产品目录绘图： TransistorS-Mini3-Pin
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：NPN
电压-集射极击穿（最大值）：8V
频率-跃迁：1.1GHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
增益：-
功率-最大值：150mW
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：100@2mA，4V
电流-集电极(Ic)（最大值）：50mA
安装类型：表面贴装
封装：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：S迷你型3-G1

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