2SD11990S参数：TRANS NPN 40VCEO 50MA M TYPE
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路标准包装：500系列：-包装：散装晶体管类型：NPN电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50mA电压 - 集射极击穿（最大值）：40V不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：200mV @ 1mA，10mA电流 - 集电极截止（最大值）：1µA不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：600 @ 2mA，10V功率 - 最大值：400mW频率 - 跃迁：120MHz安装类型：通孔封装：3-SIP供应商器件封装：M-A1
