2SJ01640RA参数：JFET P-CH 65V 20MA NS-B1
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应标准包装：5,000系列：-包装：带盒（TB）不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：600µA @ 10V漏源极电压 (Vdss)：-漏极电流 (Id) - 最大值：20mAFET 类型：P 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1.5V @ 10µA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10pF @ 10V电阻 - RDS（开）：300 欧姆安装类型：通孔封装：3-SIP供应商器件封装：NS-A1功率 - 最大值：300mW
