2SJ412(TE24L,Q)参数：MOSFET P-CH 100V 16A TO-220SM
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： 2SJ412,2SK2401Bottom 2SJ412Q,2SK2401Front标准包装：1,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：16A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：210毫欧@6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：48nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1100pF@10V功率-最大值：60W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-220SM