2SJ655参数：MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： TO-220MLPackageP-Channel&N-ChannelTop标准包装：100系列：-包装：散装FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：136毫欧@6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：41nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2090pF@20V功率-最大值：2W安装类型：通孔封装：TO-220-3整包供应商器件封装：TO-220ML
