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2SK1152

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2SK1152STL 优势库存
RENESAS
SOT252
2023+
15356
原装现货，价格优势
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2SK1152S 优势库存
HITACHI
SOT-252
2023+
7356
原装现货，价格优势
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2SK1152S
HIT
DPAK
2023+
21278
全新进口原装现货,保证质量
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2SK1152
TO-251
2023+
9557
原装现货价格优势
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2SK1152
HIT
DPAK
2023+
20000
品质保证,价格优惠
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2SK1152STL
RENESAS
SOT252
2023+
12000
品质保证,价格优惠
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2SK1152S
HIT
DPAK
2023+
20000
品质保证,价格优惠
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2SK1152STR
HITACHI
SOT252
2023+
4278
全新进口原装现货,保证质量
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2SK1152FQD2N50
HIT
SOT-252
2023+
3778
全新进口原装现货,保证质量
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联系人：李先生
QQ询价
2SK1152(LS)
TO-262/263
2023+
6278
全新进口原装现货,保证质量
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联系人：李先生
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2SK1152L
HIT
2023+
6278
工厂配单，价格优势
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2SK1152
HITACHI
TO252
2023+
3000
全新原装公司、柜台现货特价..
2SK1152S
HIT
TO-252
2023+
3536
全新原装现货
2SK1152
HIT
TO-252
2023+
3536
全新原装现货
相关型号： 2SK1119(F) 2SK11030QL 2SK1058-E 2SK0665G0L 2SK066500L 2SK0664G0L

2SK11030QL
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2SK11030QL参数：JFET N-CH 65V 20MA MINI-3

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
产品目录绘图： MiniPkg3-pin
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：600µA@10V
漏源极电压(Vdss)：-
漏极电流(Id)-最大值：20mA
FET类型：N沟道
电压-击穿(V(BR)GSS)：-
不同Id时的电压-截止（VGS关）：1.5V@10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)：7pF@10V
电阻-RDS（开）：300欧姆
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：迷你型3-G1
功率-最大值：150mW

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