2SK1489(Q)参数：MOSFET N-CH 1000V 12A TO-3PL
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：25系列：-包装：散装FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 6A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：110nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2000pF @ 25V功率 - 最大值：200W安装类型：通孔封装：TO-3PL供应商器件封装：TO-3P（L）
NECSOT892023+5356原装现货，价格优势
