2SK2607(F,T)参数：MOSFET N-CH 800V 9A TO-3PN
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：散装FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：800V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.2 欧姆 @ 4A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：68nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2160pF @ 25V功率 - 最大值：150W安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3供应商器件封装：TO-3P（N）
