2SK2777(SM,Q)参数：MOSFET N-CH 600V 6A TO220SM
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：50系列：-包装：散装FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.25 欧姆 @ 3A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 10V功率 - 最大值：65W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-220SM
