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2SK2796S

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2SK2796STR 优势库存
RENESAS
SOT252
2023+
19256
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2SK2796STL 优势库存
RENESAS
TO-252
2023+
3204
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2SK2796STL
TO-252
2023+
5557
特价现货部分可售样片
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2SK2796STR
TO-252
2023+
8557
原装现货价格优势
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2SK2796STR
RENESAS
SOT252
2023+
15900
品质保证,价格优惠
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2SK2796STL
RENESAS
TO-252
2023+
1000
品质保证,价格优惠
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2SK2796S
HIT
DPAK
2023+
20000
品质保证,价格优惠
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2SK2796SL
哈里斯
252
2023+
6000
原装现货
2SK2796S
HIT
TO-252
2023+
3536
全新原装现货
相关型号： 2SK2789(TE24L,Q) 2SK2789(TE24L) 2SK2789(SM,Q) 2SK2782(TE16L1,Q) 2SK2777(TE24L,Q) 2SK2777(TE24L)

2SK2700(T)
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2SK2700(T)参数：MOSFET N-CH 900V 3A TO220NIS

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：900V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.3 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：750pF @ 25V
功率 - 最大值：40W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220NIS

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