2SK303100L参数:MOSFET N-CH 100V 15A UG-1
类别:分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图: U-G2Type标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):15A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):135毫欧@8A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):300pF@10V功率-最大值:20W安装类型:表面贴装封装:U-G1供应商器件封装:U-G1