2SK326800L参数：MOSFET N-CH 100V 15A UG-2
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： U-G2Type标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：15A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@12A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：960pF@10V功率-最大值：20W安装类型：表面贴装封装：U-G2供应商器件封装：U-DL
