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2SK3272-01S

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2SK3272-01SJ 优势库存
FUJ
SOT-263
2023+
27352
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2SK3272-01SJ-TE24JR 优势库存
FUJI
SOT263
2023+
3204
原装现货，价格优势
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2SK3272-01SJ
TO252
2023+
1288
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2SK3272-01S
FUJI
TO-263
2023+
39357
原装现货,特价
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2SK3272-01S-TE24R
FE
TO263
2023+
2378
全新进口原装现货,保证质量
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2SK3272-01SJ-TE24JR
FUJI
SOT263
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1000
品质保证,价格优惠
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2SK3272-01SJ
FUJ
SOT-263
2023+
24000
品质保证,价格优惠
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2SK3272-01S
FUJI
TO-263
2023+
10000
品质保证,价格优惠
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2SK3272-01S-TE24RB
FUJ
TO263
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2373
工厂配单，价格优势
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2SK3272-01S-TE24R
FUJI
N/A
2023+
3536
全新原装现货
2SK3272-01S
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TO-252
2023+
3536
全新原装现货
相关型号： 2SK326800L 2SK3265(F,T) 2SK3176(F) 2SK3176 2SK3132(Q) 2SK3132

2SK327700L
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2SK327700L参数：MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： U-G2Type
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.7欧姆@1.25A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：170pF@20V
功率-最大值：10W
安装类型：表面贴装
封装：U-G1
供应商器件封装：U-G1

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