2SK3479-Z-E2-AZ参数:MOSFET 100V N-CH TO-263
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):100V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):83A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 42A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):210nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):11000pF @ 10V功率 - 最大值:1.5W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:TO-263,TO-220SMD