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2SK3482

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2SK3482-Z-E1 优势库存
NEC
SOT252
2023+
5356
原装现货，价格优势
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2SK3482-AZ
Renesas Electr..
TO-251
2023+
500
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2SK3482
NEC
SOT252
2023+
1348
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2SK3482-Z
NEC
TO-252(MP-3Z)
2023+
21278
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2SK3482-Z-E2-AZ
RenesasElectro..
TO-252-3,DPa..
2023+
1250
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2SK3482-Z-E1-AZ
RenesasElectro..
TO-252-3,DPa..
2023+
1250
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2SK3482-Z
NEC
TO-252(MP-3Z)
2023+
20000
品质保证,价格优惠
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TO-251
2023+
42880
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2SK3482-Z-E1
NEC
SOT252
2023+
2000
品质保证,价格优惠
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2SK3482-Z-E1
NEC
TO-252
2023+
51278
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2SK3482(-Z)
NEC
TO-251252
2023+
8078
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2SK3482-AZ
Renesas
TO-251（MP-3）
2023+
26000
2SK3482-Z-E1
NEC
TO-252
2023+
9500
低价格.高品质.服务好.现..
2SK3482
NEC
SOT252
2023+
3536
全新原装现货
相关型号： 2SK3481-AZ 2SK3480-AZ 2SK3479-ZJ-E1-AZ 2SK3479-Z-E2-AZ 2SK3479-Z-E1-AZ 2SK3466(TE24L,Q)

2SK3482-AZ
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2SK3482-AZ参数：MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：500
系列：-
包装：散装
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：36A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：33 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：72nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3600pF @ 10V
功率 - 最大值：1W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：TO-251（MP-3）

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