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2SK3569

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2SK3569 优势库存
TOS
TO-220F
2023+
3149
全新进口原装现货,即时发货
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2SK3569 优势库存
TOS
TO-220
2023+
8350
原装现货质量保证
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2SK3569
TOSHIBA
TO-220
2023+
2233
全新进口原装现货,特价热卖
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2SK3569(QM)
Toshiba代理分销
TO-220-3
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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2SK3569
Toshiba代理分销
TO-220-3
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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2SK3569
Toshiba
TO-220(SIS)
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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2SK3569(STA4Q)
TOSHIBA
TO-220F
2023+
1325
全新进口原装现货,保证质量
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2SK3569(Q)
TOSHIBA
2023+
5557
工厂配单，价格优势
深圳市跃创科技有限公司 VIP现货会员
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2SK3569-CORML
TOSHIBA
原装现货
2023+
4500
2SK3569(Q)
TOSHIBA
原装现货
2023+
4500
2SK3569
TOSHIBA
原装现货
2023+
4500
2SK3569
TOS
TO-220
2023+
3536
全新原装现货
相关型号： 2SK3568(Q,M) 2SK3568 2SK3567(Q) 2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3566 2SK3565(Q,M)

2SK3569
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2SK3569参数：MOSFET N-CH 600V 10A TO-220SIS

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：750 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1500pF @ 25V
功率 - 最大值：45W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220SIS

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