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2SK3639-ZK

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2SK3639-ZK 优势库存
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SOT252
2023+
50850
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2SK3639-ZK-E1 优势库存
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23352
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2SK3639-ZK
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2SK3639-ZK-E1/JK
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SOT-252
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2303
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2SK3639-ZK-E1
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2023+
20000
品质保证,价格优惠
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2SK3639-ZK
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TO-252
2023+
42880
品质保证,价格优惠
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2SK3639-ZK-E1
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TO-252
2023+
2438
原装现货价格优势
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2SK3639-ZK-E1/JM
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2023+
5055
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相关型号： 2SK3569(Q,M) 2SK3569 2SK3568(Q,M) 2SK3568 2SK3567(Q) 2SK3566(STA4,Q,M)

2SK3662(F)
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2SK3662(F)参数：MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：-
包装：散装
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：35A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：12.5 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：91nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5120pF @ 10V
功率 - 最大值：35W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220NIS

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