2SK3666-3-TB-E参数：JFET N-CH 30V 10MA 3CP
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应产品目录绘图： CPPackageN-Channel&RFFets,Top标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：1.2mA@10V漏源极电压(Vdss)：30V漏极电流(Id)-最大值：10mAFET类型：N沟道电压-击穿(V(BR)GSS)：-不同Id时的电压-截止（VGS关）：180mV@1µA不同Vds时的输入电容(Ciss)：4pF@10V电阻-RDS（开）：200欧姆安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：3-CP功率-最大值：200mW
