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2SK3666-3

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2SK3666-3-TB-E
ONSemiconductor
JFETN-CH10MA..
2023+
10164000
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SANYO
SOT23
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ONSemiconducto..
3-CP
2023+
12244
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SANYO
SOT23
2023+
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2SK3666-3-TB-E
onsemi
SMCP
2023+
500
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2SK3666-3-TB
SANYOSemicondu..
3-CP
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2SK3666-3-TB
SANYO
SOT-23
2023+
61278
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2SK3666-3-TB-E
ON
SC-59-3
2023+
16000
【【【原装绝对有货】】】
相关型号： 2SK3666-2-TB-E 2SK3662(F) 2SK3569(Q,M) 2SK3569 2SK3568(Q,M) 2SK3568

2SK3666-3-TB-E
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2SK3666-3-TB-E参数：JFET N-CH 30V 10MA 3CP

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
产品目录绘图： CPPackageN-Channel&RFFets,Top
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：1.2mA@10V
漏源极电压(Vdss)：30V
漏极电流(Id)-最大值：10mA
FET类型：N沟道
电压-击穿(V(BR)GSS)：-
不同Id时的电压-截止（VGS关）：180mV@1µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4pF@10V
电阻-RDS（开）：200欧姆
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：3-CP
功率-最大值：200mW

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