首页 > IC > 2-2093页 >

2SK3798

供应查询

您是不是要找：2SK3798(Q)2SK3798(STA4,Q,M)2SK3799 2SK3799(Q)2SK380

2SK3798

TOSHIBA

TO220F

2023+

756

原装现货质量保证

深圳市同亨电子有限公司..

电话：0755-23816885
联系人：洪小姐

2SK3798(STA4,Q,M)

Toshiba Semico..

TO-220SIS

2023+

500

全新原装进口现货品质保证

深圳市同亨电子有限公司

电话：075523816885/18922857317(微信同号)
联系人：洪小姐

2SK3798(Q)

Toshiba代理分销

TO-220-3

2023+

1250

全新进口原装现货品质保证

同亨电子元件经营部

电话：0755-23816885
联系人：洪小姐

2SK3798

Toshiba

2-10U1B

2023+

6000

品质保证,价格优惠

深圳市同亨电子有限公司..

电话：0755-23816885
联系人：洪小姐

2SK3798

TOSHIBA

TO-220

2023+

6057

原装现货价格优势

深圳市迈特新科技有限公司

电话：0755-83217923
联系人：李先生

相关型号： 2SK3797(Q,M) 2SK3796-4-TL-E 2SK3796-3-TL-E 2SK3796-2-TL-E 2SK3793-AZ 2SK3767(Q,M)

2SK3798(Q,M)
PDF资料下载

2SK3798(Q,M)参数：MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：-
包装：散装
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：900V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.5 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 25V
功率 - 最大值：40W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220SIS

2SK3798

document.write('<a href=http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SK3798 rel=nofollow class=tit target="_blank">')2SK3798(Q,M)PDF资料下载document.write('</a>')

在线询价

2SK3798(Q,M)
PDF资料下载