2SK4177-DL-E参数:MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:1,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):1500V(1.5kV)电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):13 毫欧 @ 1A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):37.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):380pF @ 30V功率 - 最大值:1.65W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:SMP-FD