2SK4210参数:MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:100系列:-包装:托盘FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):900V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.3 欧姆 @ 5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):75nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1500pF @ 30V功率 - 最大值:2.5W安装类型:通孔封装:TO-3P-3,SC-65-3供应商器件封装:TO-3PB