2SK536-TB-E参数:MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
类别:分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图: CPPackageN-Channel&RFFets,Top标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):50V电流-连续漏极(Id)(25°C时):100mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):20欧姆@10mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):-不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):15pF@10V功率-最大值:200mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:3-CP