2SK545-11D-TB-E参数：MOSFET J-FET N-CH CP
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：60µA @ 10V漏源极电压 (Vdss)：40V漏极电流 (Id) - 最大值：1mAFET 类型：N 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1.5V @ 1µA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1.7pF @ 10V电阻 - RDS（开）：-安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：3-CP功率 - 最大值：125mW
