2SK545-11D-TB-E

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2SK545-11D-TB-E参数：MOSFET J-FET N-CH CP

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：60µA @ 10V
漏源极电压 (Vdss)：40V
漏极电流 (Id) - 最大值：1mA
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1.5V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1.7pF @ 10V
电阻 - RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：3-CP
功率 - 最大值：125mW