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2SK612-Z

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2SK612-Z-E2 优势库存
NEC
TO-252
2023+
10856
原装现货，价格优势
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2SK612-Z-E1 优势库存
NEC
SOT252
2023+
18356
原装现货，价格优势
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2SK612-Z-T2
NEC
TO-252
2023+
3957
全新进口原装现货,特价热卖
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2SK612-Z-T1
NEC
TO252
2023+
8247
全新进口原装现货,特价热卖
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2SK612-Z
NIP
2023+
6278
全新进口原装现货,保证质量
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2SK612-Z-E1
TOSHIBA
TO-252
2023+
4557
全新进口原装现货,特价热卖
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2SK612-Z-E1
NEC
SOT252
2023+
15000
品质保证,价格优惠
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QQ询价
2SK612-Z
NEC
TO-252
2023+
7500
品质保证,价格优惠
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电话：0755-23816885
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2SK612-Z-E2
NEC
TO-252
2023+
14557
工厂配单，价格优势
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2SK612-Z-E2
NEC
252
2023+
6000
原装现货
2SK612-Z-T1
NEC
SOT-252
2023+
3536
全新原装现货
相关型号： 2SK596S-B 2SK545-11D-TB-E 2SK536-TB-E 2SK4222 2SK4221 2SK4210

2SK669-AC
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2SK669-AC参数：MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： SPAPackageN-ChannelTop
标准包装：2,500
系列：-
包装：散装
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：50V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20欧姆@10mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：15pF@10V
功率-最大值：200mW
安装类型：通孔
封装：3-SIP
供应商器件封装：3-SPA

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