2SK669-AC参数:MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA
类别:分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图: SPAPackageN-ChannelTop标准包装:2,500系列:-包装:散装FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):50V电流-连续漏极(Id)(25°C时):100mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):20欧姆@10mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):-不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):15pF@10V功率-最大值:200mW安装类型:通孔封装:3-SIP供应商器件封装:3-SPA