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2SK879

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ToshibaSemicon..
JFETN-CHUSM
2023+
24000
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SOT143
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工厂配单，价格优势
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联系人：销售部
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2SK879JG
2023+
4278
工厂配单，价格优势
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SOT-323
2023+
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工厂配单，价格优势
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相关型号： 2SK772E-AC 2SK771-5-TB-E 2SK715W-AC 2SK715W 2SK715V-AC 2SK715V

2SK01980RL
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2SK01980RL参数：JFET N-CH 30V 20MA MINI-3

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
产品目录绘图： MiniPkg3-pin
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：500µA@10V
漏源极电压(Vdss)：30V
漏极电流(Id)-最大值：20mA
FET类型：N沟道
电压-击穿(V(BR)GSS)：-
不同Id时的电压-截止（VGS关）：100mV@10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)：14pF@10V
电阻-RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：迷你型3-G1
功率-最大值：150mW

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