3LP01M-TL-H参数:MOSFET P-CH 30V 100MA MCP
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):10.4 欧姆 @ 50mA,4V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.43nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7.5pF @ 10V功率 - 最大值:150mW安装类型:表面贴装封装:SC-70,SOT-323供应商器件封装:3-MCP