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3SK191NI

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3SK191NI-G

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3SK263-5-TG-E
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3SK263-5-TG-E参数：MOSFET N-CH 15V 30MA CP4

类别：分立半导体产品-RF FET
产品目录绘图： CP4PackateRFFetsTop
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：N通道双门
频率：200MHz
增益：21dB
电压-测试：6V
额定电流：30mA
噪声系数：2.2dB
电流-测试：10mA
功率-输出：-
电压-额定：15V
封装：4-SMD，鸥翼型
供应商器件封装：4-CP

3SK191NI

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