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5LN01C-TB-E
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5LN01C-TB-E参数：MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：50V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.8 欧姆 @ 50mA，4V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.57nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6.6pF @ 10V
功率 - 最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：3-CP