5LP01C-TB-E参数：MOSFET P-CH 50V 70MA CP
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：50V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：70mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：23 欧姆 @ 40mA，4V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.4nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7.4pF @ 10V功率 - 最大值：250mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：3-CP
