ALD1105SBL参数:COMPLEMENTARY MOSFET 2N-CH/2P-CH
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:25系列:-包装:管件FET 类型:2 N 和 2 P 沟道(双)配对FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):10.6V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3mA, 1.3mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):500 欧姆 @ 5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3pF @ 5V功率 - 最大值:500mW安装类型:表面贴装封装:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:14-SOIC