AO3412

AO3413
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AO3413参数：MOSFET P-CH -20V -3.0A SOT23

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它图纸： AO34xxSeriesSOT-23Top AO34xxSeriesSOT-23End AO34xxSeriesSOT-23Side
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，1.8V驱动
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：97毫欧@3A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.1nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：540pF@10V
功率-最大值：1.4W
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3