AO4435参数:MOSFET P-CH -30V -10.5A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单其它图纸: AO4xxxSeries8-SOICTop AO4xxxSeries8-SOICEnd AO4xxxSeries8-SOICSide标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):10.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):14毫欧@11A,20V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):24nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1400pF@15V功率-最大值:3.1W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SOIC