AO4438参数:MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单其它图纸: AO4xxxSeries8-SOICTop AO4xxxSeries8-SOICEnd AO4xxxSeries8-SOICSide标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):8.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):22毫欧@8.2A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):58nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):2300pF@30V功率-最大值:3.1W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SOIC