AO4441参数:MOSFET P-CH 60V 4A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 4A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1120pF @ 30V功率 - 最大值:3.1W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SOIC