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AO4612

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AO4612L 优势库存
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SOP-8
2023+
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8-SOIC
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AO4612
AOS
8-SOIC
2023+
26000
FET - 阵列
相关型号： AO4611 AO4588 AO4576 AO4566 AO4498E AO4498

AO4612
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AO4612参数：MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
其它图纸： AO4xxxSeries8-SOICTop AO4xxxSeries8-SOICEnd AO4xxxSeries8-SOICSide
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A，3.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：56毫欧@4.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10.5nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：540pF@30V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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