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AO4900

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AO4924
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AO4924参数：MOS N CH DUAL 30V 9A 7.3A 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
PCNObsolescence： MultipleDevices12/Jan/2013
标准包装：3,000
系列：SRFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：2N沟道（非对称桥）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9A，7.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：15.8毫欧@9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：31nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1885pF@15V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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