AO5804E参数:MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SC89-6L
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):500mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 500mA,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):45pF @ 10V功率 - 最大值:280mW安装类型:表面贴装封装:SC-89-6,SOT-666供应商器件封装:SC-89-6