AO6409A参数:MOSFET P-CH 20V 5.5A TSOP6
类别:分立半导体产品-FET - 单其它图纸: AO6xxxSeries6-TSOPTop AO6xxxSeries6-TSOPEnd AO6xxxSeries6-TSOPSide标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平栅极,1.8V驱动漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):41毫欧@5.5A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):900mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):11nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):905pF@10V功率-最大值:2.1W安装类型:表面贴装封装:6-LSOP(0.063",1.60mm宽)供应商器件封装:6-TSOP