AO6602L参数：MOSFET N/P-CH COMPL 30V 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它图纸： AO6xxxSeries6-TSOPTop AO6xxxSeries6-TSOPEnd AO6xxxSeries6-TSOPSide标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.1A，2.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：75毫欧@3.1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：240pF@15V功率-最大值：1.15W安装类型：表面贴装封装：SC-74，SOT-457供应商器件封装：6-TSOP
