AO6601参数:MOSFET N/P-CH COMPL 30V 6-TSOP
类别:分立半导体产品-FET - 阵列其它图纸: AO6xxxSeries6-TSOPTop AO6xxxSeries6-TSOPEnd AO6xxxSeries6-TSOPSide标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:N和P沟道FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.4A,2.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):60毫欧@3A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):4.34nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):390pF@15V功率-最大值:1.15W安装类型:表面贴装封装:SC-74,SOT-457供应商器件封装:6-TSOP