AO6800参数：MOSFET DUAL N-CH 30V 3.4A 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它图纸： AO6xxxSeries6-TSOPTop AO6xxxSeries6-TSOPEnd AO6xxxSeries6-TSOPSide标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：60毫欧@3.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4.96nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：390pF@15V功率-最大值：1.15W安装类型：表面贴装封装：SC-74，SOT-457供应商器件封装：6-TSOP
