AO8822参数:MOSFET DUAL N-CH 20V 7A 8-TSSOP
类别:分立半导体产品-FET - 阵列其它图纸: AO8xxxSeries8-TSSOPTop AO8xxxSeries8-TSSOPEnd AO8xxxSeries8-TSSOPSide标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):21毫欧@7A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):9.3nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):630pF@10V功率-最大值:1.5W安装类型:表面贴装封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm宽)供应商器件封装:8-TSSOP