AO8830

AO8830
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AO8830参数：MOSFET DUAL N-CH 20V 6A 8-TSSOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
其它图纸： AO8xxxSeries8-TSSOPTop AO8xxxSeries8-TSSOPEnd AO8xxxSeries8-TSSOPSide
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：27毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5.2nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：290pF@10V
功率-最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）
供应商器件封装：8-TSSOP