AO8830参数：MOSFET DUAL N-CH 20V 6A 8-TSSOP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它图纸： AO8xxxSeries8-TSSOPTop AO8xxxSeries8-TSSOPEnd AO8xxxSeries8-TSSOPSide标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：27毫欧@6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5.2nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：290pF@10V功率-最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）供应商器件封装：8-TSSOP
